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比较器内部mos管电路

时间:2026-11-11 13:46 阅读数:9149人阅读

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比较器内部mos管电路

●ω● 豪鹏科技获得实用新型专利授权:“一种正极N-MOS快速关断电路及...公开了一种正极N‑MOS快速关断电路及电源。该正极N‑MOS快速关断电路包括关断信号输出单元和快速关断单元;所述快速关断单元包括二极管D2、开关管Q3、开关管Q4、电容C8、电阻R7、电阻R8、电阻R10。本实用新型提供的正极N‑MOS快速关断电路,能够快速关断正极的主...

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亿纬锂能获得实用新型专利授权:“电池包续流电路及机器人”证券之星消息,根据天眼查APP数据显示亿纬锂能(300014)新获得一项实用新型专利授权,专利名为“电池包续流电路及机器人”,专利申请号为CN202522100276.3,授权日为2026年9月8日。专利摘要:本申请提供了电池包续流电路及机器人,电池管理系统集成在电池包上;第一MOS管开关...

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保变电气获得实用新型专利授权:“一种恒流电源的控制电路”专利摘要:本实用新型提出了一种恒流电源的控制电路,利用MOS管的硬件特性来实现输出电流与输出电压的精准控制。根据精确地负载V‑I曲线,通过设定的输出电流拟合出所需输出电压,经控制器DA输出,作为电压外环的控制量,与实际采样电压比较,控制前级MOS管的导通,实现输出电压...

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>ω< 科威尔获得实用新型专利授权:“一种降低三电平电路尖峰电压的装置”专利名为“一种降低三电平电路尖峰电压的装置”,专利申请号为CN202520191720.4,授权日为2026年4月21日。专利摘要:一种降低三电平电路尖峰电压的装置,属于电力电子技术领域,降低三电平电路中MOS管源极‑漏极之间开关尖峰电压的问题;本实用新型中每个MOS管和二极管的邻...

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ˋ▽ˊ 光峰科技获得发明专利授权:“驱动电路、功率电路以及投影设备”专利名为“驱动电路、功率电路以及投影设备”,专利申请号为CN202010171947.4,授权日为2026年7月24日。专利摘要:本申请实施例提供了一种驱动电路、功率电路以及投影设备,用于驱动开关电源电路中的N‑MOS管,所述N‑MOS用于控制光源的通断,该驱动电路包括储能元件;电流...

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苏州固锝:在半导体领域公司已深耕三十余年 目前产品覆盖50多个系列...目前产品覆盖整流二极管芯片、微型桥堆、光伏旁路模块、无引脚集成电路封装产品、MOS 器件、IGBT器件、小信号功率器件、传感器封装等50多个系列、7000多个品种。 上述功率器件产品属于算力基础设施上游通用电子元器件,不直接配套AI算力产业链。请投资者注意投资风险,谨...

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思瑞浦获得发明专利授权:“缓起保护电路、集成芯片和控制方法”专利名为“缓起保护电路、集成芯片和控制方法”,专利申请号为CN202211623050.6,授权日为2026年2月6日。专利摘要:本发明提供了一种缓起保护电路、集成芯片和控制方法,包括:电荷泵、软起动模块和功率MOS管;电荷泵,用于产生偏置电流,并将偏置电流输入至软起动模块和功率M...

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智微智能获得实用新型专利授权:“一种直流多路输入防反接电路及...专利摘要:本实用新型涉及直流输入电路技术领域,尤其涉及一种直流多路输入防反接电路,包括至少两路输入通道,每路输入通道的正极并联至公共正极节点,负极通过N‑MOS管的漏极连接至公共负极节点;所述N‑MOS管的源极连接至对应输入通道的负极;电压比较器,其输入端分别连接各...

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航嘉 MVPLAND 预告:数字 + 碳化硅 PC 电源 2026 年 10 月上市宣布结合自研数字集成电路和碳化硅 (SiC) 功率半导体的 PC 电源将于 2026 年 10 月上市。从官方在展会现场释出的结构图来看,该系列电源配备由航嘉与恩智浦合作开发的主控芯片 HKP6288;PFC 电路的功率 MOS 和高压二极管均采用碳化硅材料,分别来自英飞凌和意法半导体;主电容...

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ゃōゃ 蓝箭电子:2月10日接受机构调研,易方达基金、银河证券等多家机构参与电路产品,产品类型主要为二极管、三极管、场效应管、可控硅、IGBT、SiC SBD、SiC MOS 等分立器件产品和 LDO、C-DC、DC-DC、锂电... 同时建立常态化人才引进与内部培养机制,不断完善研发梯队建设,为技术创新提供持续人才支撑。6、公司的研发战略、核心研发方向,如何应对...

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